عضویت العربیة English
پیامبر اکرم صلّی الله علیه و آله: هر کس حسین را دوست بدارد، خداوند دوستدار اوست. بحارالأنوار، ج43، ص261
  • چشم انتظاران
  • چراغ راه مداحان

متالوژی و مواد

سیستم های کندوپاش (2)

سیستم های کندوپاش (2)
در سیستم تخلیه ی درخشان، فشار گاز به حدی بالاست که مولکول های گازی در طی رشد لایه نازک، تابش انجام می دهند. این مسئله موجب ورود ناخالصی های گازی در لایه ی کندوپاش شده، می شود. در سیستم کندوپاش باریکه ی ادامه ...

سیستم های کندوپاش (1)

سیستم های کندوپاش (1)
در این مقاله قصد داریم تا ساختار سیستم های کندوپاش مختلف را مورد بررسی قرار دهیم. این مقاله می تواند بوسیله ی بخش صنعت و دانشگاه، مورد استفاده قرار گیرد. ادامه ...

پدیده ی کندوپاش (2)

پدیده ی کندوپاش (2)
آزمایش های نشان می دهد که ترکیب شیمیایی مربوط به لایه ی رسوب کرده از اهداف آلیاژی، مشابه با ترکیب هدف مورد استفاده است. این پیشنهاد می دهد که کندوپاش، بوسیله ی فرایندهای گرمایی تحت تأثیر قرار نمی گیرد اما فرایند ادامه ...

پدیده ی کندوپاش (1)

پدیده ی کندوپاش (1)
Grove برای اولین بار، در سال 1852، پدیده ی کندوپاش (sputtering) را در یک تیوب تخلیه ی گازی dc مشاهده کرد. او کشف کرد که سطح کاتدی مربوط به تیوب تخلیه بوسیله ی یون های پر انرژی موجود در تخلیه ی گاز، ادامه ...

فرایندهای رشد لایه نازک (3)

فرایندهای رشد لایه نازک (3)
آبکاری یونی اولین بار بوسیله ی Mattox و در دهه ی 1960 میلادی، پیشنهاد شد. فلاکس پوشش در این روش، معمولاً بوسیله ی تبخیر گرمایی ایجاد می شود. اتم های تبخیر شده در ناحیه ای پلاسمایی، یونیزه می شوند و بوسیله ی ادامه ...

فرایندهای رشد لایه نازک (2)

فرایندهای رشد لایه نازک (2)
چسبندگی یک لایه بر روی زیرلایه، به طور قابل توجهی به طبیعت شیمیایی، تمیزی و توپولوژی میکروسکوپی زیرلایه وابسته می باشد. چسبندگی برای مقادیر بالاتر از: انرژی کینتیکی مربوط به گونه های برخورد کننده، انرژی ادامه ...

فرایندهای رشد لایه نازک (1)

فرایندهای رشد لایه نازک (1)
تشکیل یک لایه ی نازک از طریق جوانه زنی و رشد انجام می شود. تصویر کلی از فرایند رشد مرحله به مرحله، از طریق مطالعات تجربی و عملی، قابل بررسی است. این موارد به صورت زیر می باشد: ادامه ...

لایه نازک و وسایل مورد استفاده (2)

لایه نازک و وسایل مورد استفاده (2)
از اواخر دهه ی 1950، لایه های نازک به طور گسترده در تولید وسایل الکترونیکی، کاربرد یافت. در اوایل دهه ی 1960، Weimer یک ترانزیستور بر پایه ی لایه ی نازک (TFTs) را پیشنهاد کرد که از لایه های نازک CdS تشکیل می ادامه ...

لایه نازک و وسایل مورد استفاده (1)

لایه نازک و وسایل مورد استفاده (1)
لایه نازک بوسیله ی رسوب دهی اتم به اتم بر روی زیرلایه ی منفرد، ایجاد می شود. یک لایه ی نازک به عنوان یک ماده ی دو بعدی تعریف می شود که بوسیله ی چگالش اتم به اتم و قرارگیری این اتم ها بر روی زیرلایه، ایجاد می شود. ادامه ...

هدف مورد استفاده در کندوپاش

هدف مورد استفاده در کندوپاش
هدف ها عموماً از یک فلز یا آلیاژ تشکیل شده اند. دیسک های تولید شده با پرس گرم، معمولاً برای رسوب دهی لایه های نازک ترکیبی، مورد استفاده قرار می گیرد. قطر این هدف ها برای کاربردهای تحقیقاتی، معمولا بین 2.5 تا 10 سانتیمتر ادامه ...